Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ｌｏｗ−ｋ膜の機械的強度を向上〜ｌｏｗ−ｋ膜の機械的強度を向上
日経マイクロデバイス 第236号 2005.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第236号（2005.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全611字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （136kb） |
| 雑誌掲載位置 | 112ページ目 |
低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜であるポーラスＳｉＯＣＨ膜の機械的強度を高めることができる紫外線アニール装置（図１）。ＳｉＯＣＨ膜の成膜方法にはプラズマＣＶＤ法とスピン塗布法の２種類があるが，どちらの方法で形成した膜に対しても有効である。ｌｏｗ−ｋ膜の機械的強度を高める手法には，従来，電子ビーム（ＥＢ）によるアニール処理があったが，ビームの照射によってｋ値が増大してしまうという問題があった。今回…
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