Ｓｐｅｃｉａｌ　Ｆｅａｔｕｒｅ　次のプロセス・シナリオは，寸法では決まらない〜不揮発性メモリー●　ＮＡＮＤは８ギガ達成，新方式は課題克服へ
日経マイクロデバイス　第236号　2005.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第236号（2005.2.1）
ページ数	4ページ　（全5341字）
形式	PDFファイル形式　（330kb）
雑誌掲載位置	66〜69ページ目

仁田山　晃寛東芝ＳｏＣ研究開発センター　不揮発性メモリーは，フラッシュ・メモリーの大容量化が進むと共に，新型メモリーの課題解決が着々と進んでいる。フラッシュでは，初めて８Ｇビット品が報告された。新型メモリーでは図２６に示すような開発の主要課題に沿って成果が出ている。ＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　ＲＡＭ）では，セル動作の安定化とセル微細化の工夫が提案され，ＦｅＲＡＭ（強誘電体メモリー）…