Ｓｐｅｃｉａｌ　Ｆｅａｔｕｒｅ　次のプロセス・シナリオは，寸法では決まらない〜ゲート・スタック●　メタルとｈｉｇｈ−ｋの組み合わせを議論
日経マイクロデバイス　第236号　2005.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第236号（2005.2.1）
ページ数	4ページ　（全6488字）
形式	PDFファイル形式　（196kb）
雑誌掲載位置	62〜65ページ目

芝原　健太郎広島大学　ナノデバイス・システム研究センター　今回の「２００４　ＩＥＥＥ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　Ｍｅｅｔｉｎｇ（２００４　ＩＥＤＭ）」では，メタル・ゲートと高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜の組み合わせに関する議論が焦点となった。メタル・ゲート関連の発表は２００１年ころから増加し始めたが，当初はｈｉｇｈ−ｋとは別個の議論が多かった。ｈｉｇｈ−ｋ…