Cover Story Part3 SoCメモリーの覇者〜新型メモリーは“万能”を目指さず 速度か消費電力の“一芸”で勝負
日経マイクロデバイス 第231号 2004.9.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第231号(2004.9.1) |
---|---|
ページ数 | 6ページ (全6735字) |
形式 | PDFファイル形式 (197kb) |
雑誌掲載位置 | 42〜47ページ目 |
SRAM危機をキッカケに高速かつ待機時消費電流が小さいというSRAMの特徴が失われる恐れが出てきた。それを機に混載SRAMの置き換えを狙うのが新型不揮発性メモリーである。新型不揮発は,これまで「万能メモリー」という方向を目指してきたが,ここへ来てSRAM代替メモリーを目指す方向へと舵を切る。SRAMが使われてきた用途を特定し,そこで求められる特性に絞り込む。高速性を強みにSoCのワーク・メモリーを…
記事の購入(ダウンロード)
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 550円(税込)
他のIDで購入する
G-Search ミッケ!は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「6ページ(全6735字)」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
(注)特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
- Cover Story Part1 SoCメモリーの覇者〜SRAM危機への対策が SoC技術開発の要に
- Cover Story Part2 SoCメモリーの覇者〜動作マージンとリーク電流 65nm以降の壁に挑む
- Special Feature どうなる“アテネ後”,短期的に下降局面,長期的には「落ち込み小」〜在庫増加の問題は深刻 Intelのマイクロプロセサは最悪の89日
- Inside LSI 囲み〜米IntelがEUV研究体制を強化 液浸ArFの躍進をけん制か
- Special Feature どうなる“アテネ後”,短期的に下降局面,長期的には「落ち込み小」〜LSI/製造装置は,ついに下り坂へ DRAMは供給過剰の恐れ