Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ１ ＳｏＣメモリーの覇者〜ＳＲＡＭ危機への対策が ＳｏＣ技術開発の要に
日経マイクロデバイス 第231号 2004.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第231号（2004.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全4870字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （133kb） |
| 雑誌掲載位置 | 28〜33ページ目 |
高速，低消費電力，周辺回路が簡素，ロジックＬＳＩとの混載が容易。こうした多くの理由からＳＲＡＭは混載メモリーの主力としてこれまでＳｏＣ（ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ ｃｈｉｐ）に使われてきた。そのＳＲＡＭが危機に直面している。動作マージンやリーク電流という問題が，６５ｎｍノード（ｈｐ９０）以降，顕著になってくるためである。ＳＲＡＭ危機への対策として，ＳＲＡＭ技術そのものの改良と，代替技術の開発の二つの方…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 550円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「6ページ（全4870字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｋｅｙ Ｐｅｒｓｏｎ〜ディスプレイ・半導体は地域とともに伸びる
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ とびら ＳｏＣメモリーの覇者〜ＳｏＣメモリーの覇者
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ２ ＳｏＣメモリーの覇者〜動作マージンとリーク電流 ６５ｎｍ以降の壁に挑む
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ３ ＳｏＣメモリーの覇者〜新型メモリーは“万能”を目指さず 速度か消費電力の“一芸”で勝負
Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ どうなる“アテネ後”，短期的に下降局面，長期的には「落ち込み小」〜在庫増加の問題は深刻 Ｉｎｔｅｌのマイクロプロセサは最悪の８９日
