Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ 囲み〜米ＩｎｔｅｌがＥＵＶ研究体制を強化 液浸ＡｒＦの躍進をけん制か
日経マイクロデバイス 第231号 2004.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第231号（2004.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1127字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （166kb） |
| 雑誌掲載位置 | 62ページ目 |
米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．がＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）露光技術の研究体制を強化している（図Ａ）。ＥＵＶ露光のプロセス・ラインやＥＵＶマスクのパイロット・ラインを，オレゴン州にある３００ｍｍ研究開発棟「ＲＰ１」内に構築した。２００９年の３２ｎｍノード（ｈｐ４５）での量産展開を狙う。発表のタイミングが，液浸露光の学会「Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｉｍｍｅ…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全1127字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
- Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ３ ＳｏＣメモリーの覇者〜新型メモリーは“万能”を目指さず 速度か消費電力の“一芸”で勝負
- Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ どうなる“アテネ後”，短期的に下降局面，長期的には「落ち込み小」〜在庫増加の問題は深刻 Ｉｎｔｅｌのマイクロプロセサは最悪の８９日
- Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ どうなる“アテネ後”，短期的に下降局面，長期的には「落ち込み小」〜ＬＳＩ／製造装置は，ついに下り坂へ ＤＲＡＭは供給過剰の恐れ
- Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ どうなる“アテネ後”，短期的に下降局面，長期的には「落ち込み小」〜２００５年後半の景気の谷は浅い 次の５年は１０．９％／年の成長へ
- Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ 第１回高誘電ゲート絶縁膜（１）〜第１回 高誘電率ゲート絶縁膜（１） 「ＨｆＳｉＯｘ ｖｓ． ＨｆＡｌＯｘ」 ｈｉｇｈ−ｋの本命争いが激化
Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ３ ＳｏＣメモリーの覇者〜新型メモリーは“万能”を目指さず 速度か消費電力の“一芸”で勝負
Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ どうなる“アテネ後”，短期的に下降局面，長期的には「落ち込み小」〜在庫増加の問題は深刻 Ｉｎｔｅｌのマイクロプロセサは最悪の８９日
Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ どうなる“アテネ後”，短期的に下降局面，長期的には「落ち込み小」〜ＬＳＩ／製造装置は，ついに下り坂へ ＤＲＡＭは供給過剰の恐れ
Ｓｐｅｃｉａｌ Ｆｅａｔｕｒｅ どうなる“アテネ後”，短期的に下降局面，長期的には「落ち込み小」〜２００５年後半の景気の谷は浅い 次の５年は１０．９％／年の成長へ
Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ 第１回高誘電ゲート絶縁膜（１）〜第１回 高誘電率ゲート絶縁膜（１） 「ＨｆＳｉＯｘ ｖｓ． ＨｆＡｌＯｘ」 ｈｉｇｈ−ｋの本命争いが激化
