Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ２ ＳｏＣメモリーの覇者〜動作マージンとリーク電流 ６５ｎｍ以降の壁に挑む
日経マイクロデバイス 第231号 2004.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第231号（2004.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全8933字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （210kb） |
| 雑誌掲載位置 | 34〜41ページ目 |
「動作マージンの縮小」と「リーク電流の増大」というＳＲＡＭが直面する課題に技術者が取り組んでいる。このうち動作マージンを大きくするためには，しきい電圧を高く維持する，バラつきを抑えるというのが基本的な手法になる。こうした手法を実現した上で，セル面積のムダを抑えるなどの提案が出てきている。リーク電流の増大には，ゲート酸化膜の物理的な厚さを厚くするなどしてリークを減らすというのが基本方針になる。ソフト…
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