ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｌｏｇｉｃ］〜ひずみＳｉ技術で 議論の焦点は大きく二つ
日経マイクロデバイス 第230号 2004.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第230号（2004.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全318字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （91kb） |
| 雑誌掲載位置 | 101ページ目 |
「２００４ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」のランプ・セッション「Ｓｔｒａｉｎｅｄ Ｓｉ ｆｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＭＯＳ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ」では，ひずみＳｉ技術の現状と将来像に関して活発な議論が行われた。議論の焦点は，今回のＳｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙで多くの論文発表が行われているプロセス誘起による「ｌｏｃａｌ ｓｔｒａｉｎ」技術と…
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