ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜高集積化進む相変化メモリー 課題解決目指すＭＲＡＭ 新型メモリーの発表相次ぐ
日経マイクロデバイス 第230号 2004.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第230号（2004.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全321字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （98kb） |
| 雑誌掲載位置 | 102ページ目 |
「２００４ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」の「Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｍｅｍｏｒｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｉ」のセッションでは新型メモリーの発表が相次いだ。相変化メモリーでは，選択素子にＢＪＴを使って０．３２μｍ２のセル寸法を実現したチップ，６４Ｍビットに集積したチップが登場した。相変化メモリーの高集積化は加速しており，量産技術と信頼性が確立すれば「ユニバーサル・メモリ…
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