Ｉｎｓｉｄｅ Ｍｅｍｏｒｙ〜日立国際●１００枚のバッチ装置を開発 ５０ｎｍを２５枚／時で処理
日経マイクロデバイス 第227号 2004.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第227号（2004.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1585字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （255kb） |
| 雑誌掲載位置 | 56ページ目 |
佐藤武敏日立国際電気電子機械事業部 富山工場 新膜種開発設計部 縦型ＣＶＤで培われてきたバッチ方式を基本とする縦型バッチ式ＡＬＤ装置を開発した。量産装置としての課題を克服し，メモリーＬＳＩの量産ラインでの採用が始まった。 われわれは，１００枚のウエーハをチャンバに格納し，ウエーハに対して平行にプリカーサを供給する。各ウエーハにプリカーサを均等に供給／排出できるようにしている。枚葉式のＡＬＤチャンバ…
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