Ｉｎｓｉｄｅ　Ｍｅｍｏｒｙ〜ＡＭＡＴ●ＡＬＤバリヤーが　Ｃｕ配線の主流へ
日経マイクロデバイス　第227号　2004.5.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第227号（2004.5.1）
ページ数	3ページ　（全4652字）
形式	PDFファイル形式　（255kb）
雑誌掲載位置	57〜59ページ目

Ｄａｎｉｅｌ　Ｄｉｅｈｌアプライド　マテリアルズ　ジャパンＣｕ，ＰＶＤ，インテグレーテッド　システムズ　グループ　ＣＶＤおよびＡＬＤのバリヤー／シード装置は，　６５ｎｍ（ｈｐ　９０ｎｍ）世代の量産や４５ｎｍ（ｈｐ　６５ｎｍ）世代の研究開発に向けて本格化しつつある。ＡＬＤはＰＶＤに置き換わっていくだろうか。その答えは，まぎれもなく“イエス”である。ＡＬＤは，Ｃｕ拡散性能，ＲＣ時定数の低減，信頼性など…