Ｉｎｓｉｄｅ　Ｍｅｍｏｒｙ〜ＡＳＭ●枚葉式を製品化　１反応サイクル０．６秒を達成
日経マイクロデバイス　第227号　2004.5.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第227号（2004.5.1）
ページ数	2ページ　（全2954字）
形式	PDFファイル形式　（255kb）
雑誌掲載位置	52〜53ページ目

武藤　勝彦日本エーエスエムＥＰＩ，ＡＬＤ担当　シニアサイエンティスト　オランダＡＳＭ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｎ．Ｖ．は，ＡＬＤプロセスに特化した装置を開発，他社に先駆けて１９９８年８月にＬＳＩ製造向けに市場投入した。現在ＭＯＳＦＥＴの高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲートの積層膜などに向けた量産装置を提供している注２）。　われわれは，次のような特徴をユーザーに提案している。（１）気相中と基板表面上に…