Ｉｎｓｉｄｅ Ｌｏｇｉｃ〜米Ｉｎｔｅｌが明かす ひずみＳｉ技術の全貌
日経マイクロデバイス 第227号 2004.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第227号（2004.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全5784字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （141kb） |
| 雑誌掲載位置 | 61〜66ページ目 |
Ｍａｒｋ Ｂｏｈｒ米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．が９０ｎｍノード（ｈｐ１３０）で導入する「ひずみＳｉ技術」の全貌を明らかにした。ひずみＳｉとは，Ｓｉ結晶に機械的なひずみを加えて電子や正孔の移動度を高め，トランジスタの電流駆動能力を向上させる技術である。これまで研究レベルの技術と考えられていたが，Ｉｎｔｅｌがマイクロプロセサへの導入を決めたことによって，実用化への動きが一気に加速し…
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