Ｉｎｓｉｄｅ Ｍｅｍｏｒｙ〜ＡＬＤ技術がいよいよ量産へ まずは立体構造のキャパシタから
日経マイクロデバイス 第227号 2004.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第227号（2004.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全3541字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （255kb） |
| 雑誌掲載位置 | 49〜51ページ目 |
ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）やＰＶＤ（ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）と並んで，ＡＬＤ（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術の導入が量産工程で始まった。９０ｎｍ以降のＤＲＡＭの量産ラインに韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．が導入しているもようであり，９０ｎｍ以降のメモリーの標準的な成膜装置となる可能性が…
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