特集 Ｐａｒｔ１ 囲み〜回路・プロセス技術を駆使して ＬＳＩのリーク電力を抑制
日経マイクロデバイス 第225号 2004.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第225号（2004.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全921字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （177kb） |
| 雑誌掲載位置 | 25ページ目 |
熱に起因するリーク電力の増大の問題をＬＳＩの回路技術，プロセス技術を駆使して補おうとする提案が出ている。 リーク電力の影響は，ＬＳＩのチップ当りの消費電力推移から見て，その深刻さが読み取れる（図Ａ）。１９８０年代は微細化が進んだものの５Ｖの単一電源だったために３年で４倍のペースで消費電力が増えた。１９９０年代は電源電圧の低下の効果があり，３年で１．４倍のペースに鈍化している。 ところが２００５年…
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