特集　Ｐａｒｔ１　囲み〜低抵抗で放熱性の高いＳｉＣ　２０１０年にパワー素子で主戦場へ
日経マイクロデバイス　第225号　2004.3.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第225号（2004.3.1）
ページ数	1ページ　（全872字）
形式	PDFファイル形式　（177kb）
雑誌掲載位置	27ページ目

　最近，開発が進んでいるＳｉＣ（４Ｈ−ＳｉＣ）は，低抵抗，放熱性の高さを要求するデバイスとして大きな可能性を秘めている。バンドギャップはＳｉの２．８倍の３．０９ｅＶ，絶縁破壊電界が５．３倍の３．２ＭＶ／ｃｍ，熱伝導率が３．３倍の４．９Ｗ／ｃｍ・Ｋという物性を持つ。　例えばショットキバリヤー・ダイオードやＭＯＳ　ＦＥＴをＳｉＣで形成すると，同じ耐圧のＳｉデバイスに比べてドリフト抵抗領域が厚さで一ケタ…