Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ３〜２００７年●ｈｉｇｈ−ｋ膜 三つの課題を克服
日経マイクロデバイス 第224号 2004.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第224号（2004.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全3172字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （262kb） |
| 雑誌掲載位置 | 43〜46ページ目 |
有門 経敏 鳥居 和功半導体先端テクノロジーズ ｈｉｇｈ−ｋ膜は，電気的なゲート絶縁膜厚を薄くしたまま，物理膜厚を厚くすることによって，ゲート・リークを抑制する技術である。２００１年は，さまざまな材料候補が登場し，百花繚乱だったが，２００２年半ばから材料はＨｆ酸化物に収束する方向が見えてきた（図１１）。２００２年のＩＥＤＭではＨｆ酸化物への窒素の導入が話題を集め，懸案だった耐熱性の問題に対して改…
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