Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ Ｐａｒｔ３〜２００４年●ひずみＳｉ Ｉｎｔｅｌが９０ｎｍで導入
日経マイクロデバイス 第224号 2004.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第224号（2004.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全4006字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （262kb） |
| 雑誌掲載位置 | 40〜45ページ目 |
平本 俊郎東京大学 生産技術研究所 ひずみＳｉはトランジスタのチャネル部分にひずみを加え，キャリア移動度を高める技術である。高速化が重要なマイクロプロセサでは欠かせない技術になってきた。実際，米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．は９０ｎｍのマイクロプロセサにひずみＳｉを導入する計画であり，今回の２００３ ＩＥＤＭで技術の詳細を明らかにした（図２）。ｐＭＯＳとｎＭＯＳにそれぞれ異なるひずみを印加しており，低コス…
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