Cover Story 新製品ファイル〜65nm以降のlow−k膜加工に対応した 300mmエッチング装置
日経マイクロデバイス 第222号 2003.12.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第222号(2003.12.1) |
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ページ数 | 1ページ (全1448字) |
形式 | PDFファイル形式 (52kb) |
雑誌掲載位置 | 123ページ目 |
65nm以降の低誘電率(low−k)層間絶縁膜をパターン加工できる300mmウエーハ対応のエッチング装置をエフオーアイが開発した。「セミコン・ジャパン2003」への出展を機に本格販売を開始する。 90nm以前のlow−k層間絶縁膜のパターン加工では,平行平板型プラズマを使ったエッチング装置が多かった。しかし,微細加工レベルが65nm以降になると,平行平板型プラズマによるパターン加工は困難になる可…
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