Ｃｏｖｅｒ Ｓｔｏｒｙ 新製品ファイル〜極浅接合向けアニール技術を開発 ６５ｎｍ以降の根幹にかかわる課題を克服へ
日経マイクロデバイス 第222号 2003.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第222号（2003.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1388字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （55kb） |
| 雑誌掲載位置 | 122ページ目 |
６５ｎｍノード以降で使うＬＳＩの根幹にかかわる製造技術上の課題を克服できる。その代表例として，米Ｕｌｔｒａｔｅｃｈ， Ｉｎｃ．が開発した６５ｎｍ以降の極浅接合向けアニール技術の詳細が明らかになった（図１，図２）。６５〜４５ｎｍ向けの「ＬＳＡ（ｌａｓｅｒ ｓｐｉｋｅ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）」と，４５ｎｍ以降向けの「ＬＴＰ（ｌａｓｅｒ ｔｈｅｒｍａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）」の二つである。ＬＳＡを使っ…
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