Ｒｅｐｏｒｔ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜１．１Ｖ動作の１８０ｎｍ混載ＦｅＲＡＭ 既存ロジック・プロセスで製造可能に
日経マイクロデバイス 第218号 2003.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第218号（2003.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2660字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （99kb） |
| 雑誌掲載位置 | 113〜114ページ目 |
ＣＭＯＳロジックのプロセスにまったく手を加えないことを前提とする混載ＦｅＲＡＭ（強誘電体メモリー）技術を松下電器産業が開発した。ＦｅＲＡＭ部のプロセスを最適化して実現した従来と異なり，既存のＣＭＯＳロジックの機能ブロックであるＩＰ（ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｙ）を設計資産として活用できるようになる。同社は今回のＦｅＲＡＭ混載技術を１８０ｎｍプロセスで２００３年１２月に量産化，ＩＣカ…
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