Ｒｅｐｏｒｔ［Ｄｉｓｐｌａｙ］〜ゲート長０．５μｍのｐ−Ｓｉ ＴＦＴが登場回路形成のための微細化技術に本腰
日経マイクロデバイス 第218号 2003.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第218号（2003.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全1994字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （76kb） |
| 雑誌掲載位置 | 116〜117ページ目 |
ＴＦＴ液晶パネル・メーカーが，ガラス基板上の機能回路の高性能化，低コスト化を狙い，ＴＦＴの微細化技術に本腰を入れ始めた。この７月に開かれた「２００３ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ａｃｔｉｖｅ−Ｍａｔｒｉｘ Ｌｉｑｕｉｄ−Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ（ＡＭ−ＬＣＤ ’０３）」では，こうしたＴＦＴの微細化に関する技術発表が相次いだ（図１）。ホログラフィック露光技術を導入 …
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