μレポート［ＬＳＩ製造］〜新星メモリー「ＲＲＡＭ」の 電導特性の解析結果を 米Ｓｈａｒｐ Ｌａｂが初披露
日経マイクロデバイス 第214号 2003.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第214号（2003.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2760字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （209kb） |
| 雑誌掲載位置 | 21〜22ページ目 |
不揮発性 メモリー学会夢のメモリー「ＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｉｃ ＲＡＭ）」を凌ぐポテンシャルを持つとして，昨年１２月の「２００２ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ）」で大きな関心を集めた「ＲＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｏｒ ＲＡＭ）」。このほど開発元の米Ｓｈａｒｐ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ， Ｉｎｃ．が，記憶素子の電導特性の解析結果を初めて公開，メカニ…
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