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解説[LSI製造] 寄稿〜日立国際電気● 高アスペクト比の被覆を達成
日経マイクロデバイス 第213号 2003.3.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第213号(2003.3.1) |
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ページ数 | 3ページ (全4015字) |
形式 | PDFファイル形式 (353kb) |
雑誌掲載位置 | 115〜117ページ目 |
日立国際電気電子機械事業部MMTプロジェクト小川 雲龍 「MMT(Modified Magnetron Typed)」プラズマと呼ぶ技術を使った表面処理装置を開発した。MMTプラズマは,東北大学教授の佐藤徳芳氏の研究室と共同開発した技術である。広い圧力範囲で,高密度のプラズマを均一に生成することができる19),20)。ゲート絶縁膜に加え,トレンチ・キャパシタ絶縁膜のような高アスペクト比の被覆も達成…
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