解説［ＬＳＩ製造］ 寄稿〜米Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
日経マイクロデバイス 第213号 2003.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第213号（2003.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全3973字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （353kb） |
| 雑誌掲載位置 | 112〜114ページ目 |
米Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ ＧｒｏｕｐＪｉｍ Ｃｕｓｈｉｎｇ われわれは，ゲート絶縁膜表面の窒素濃度を高める方法として，「ＤＰＮ（Ｄｅｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎ）」と呼ぶプラズマ窒化技術を開発した。この技術をベースに，連続処理によるプロセスの最適化や製造効率の改善に向けた開発を進めている１３−１６）。濃度と深さ方向…
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