解説［ＬＳＩ製造］ 寄稿〜東京エレクトロン● ＳｉＯ２換算膜厚０．９ｎｍを達成
日経マイクロデバイス 第213号 2003.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第213号（2003.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全5376字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （353kb） |
| 雑誌掲載位置 | 108〜111ページ目 |
東京エレクトロン枚葉成膜ＢＵ枚葉成膜部村川 惠美 「Ｒａｄｉａｌ Ｌｉｎｅ Ｓｌｏｔ Ａｎｔｅｎｎａ（ＲＬＳＡ）」と呼ぶ低電子温度，高密度のプラズマ技術を使った成膜装置を開発した。この装置を使うことによって，急峻な窒素原子分布を持ち，しかもプラズマ損傷のないＰＮＯ（Ｐｌａｓｍａ Ｎｉｔｒｉｄｅｄ Ｏｘｉｄｅ）ゲート絶縁膜の形成プロセスを確立できた。すでにＳｉＯ２換算膜厚が０．９ｎｍのＰＮＯゲート絶…
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