解説［ＬＳＩ製造］〜高性能ＬＳＩゲート絶縁膜 １ｎｍはプラズマ窒化に
日経マイクロデバイス 第213号 2003.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第213号（2003.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全3863字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （353kb） |
| 雑誌掲載位置 | 105〜107ページ目 |
微細化ゲート絶縁膜プラズマ窒化９０〜６５ｎｍノードの高性能ＬＳＩに使うゲート絶縁膜技術が固まってきた。プラズマでＳｉＯ２ゲート絶縁膜を窒化処理することによって，ＳｉＯ２換算膜厚１ｎｍを達成しながら，リーク電流を二ケタ下げる。これまでは同時にＦＥＴ特性が劣化してしまうという問題があったが，プラズマの電子温度を下げることで解決できることがハッキリした。このような技術を，東京エレクトロン，米Ａｐｐｌｉｅ…
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