論文［ＬＳＩ製造］ 囲み〜次世代メモリー技術を相次ぎ発表 ２００３年末〜２００４年初に本命絞り込み
日経マイクロデバイス 第213号 2003.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第213号（2003.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2681字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （466kb） |
| 雑誌掲載位置 | 103〜104ページ目 |
「新型不揮発性メモリーの開発体制を２００３年末〜２００４年初めに見直し，複数の技術の中から本命を絞り込む」。韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．で最先端メモリーの研究を統轄するＡｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｒ＆Ｄ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｖｉｃｅ ＰｒｅｓｉｄｅｎｔであるＫｉｎａｍ Ｋｉｍ氏の発言である。 同社は，…
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