論文［ＬＳＩ製造］〜勝ち組Ｓａｍｓｕｎｇの戦略 ＮＡＮＤ型フラッシュで制覇
日経マイクロデバイス 第213号 2003.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第213号（2003.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全7008字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （466kb） |
| 雑誌掲載位置 | 95〜102ページ目 |
フラッシュ・メモリー研究開発ＭＲＡＭＤＲＡＭの技術力と積極的な設備投資で他を圧倒して勝ち組になった韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．。次はＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーを今後のメモリー事業の核にしていく。ＮＡＮＤ型フラッシュが技術と市場の両面でけん引役になり，携帯電話機からディジタル家電まで多種多様の機器において同社の強みが発揮できるからである。フラッシュの後継技術と見…
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