技術レター［ＬＳＩ製造］〜ＳＰＭ応用のＥＢ露光技術を 日立基礎研が開発 試作で線幅２５ｎｍが可能
日経マイクロデバイス 第196号 2001.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第196号（2001.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全252字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （24kb） |
| 雑誌掲載位置 | 31ページ目 |
微細化マイクロ プロセサＤＲＡＭ 走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を応用し，２５ｎｍの線幅パターンを形成できる電子ビーム（ＥＢ）露光技術を日立製作所基礎研究所が開発した。ＳＰＭのプローブと，レジストを塗ったＳｉ基板の間に電圧を印加し，プローブからのＥＢ照射で局所的に露光する。基本的な考え方は従来からあったが，ＥＢ照射量の制御が難しく，複雑なパターンを露光できなかった。今回は定電流制御技術と定電圧制御…
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