技術レター［ＬＳＩ製造］〜ＮＡＮＤ型フラッシュ １Ｇチップの製品発表で 韓国Ｓａｍｓｕｎｇが先行
日経マイクロデバイス 第196号 2001.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第196号（2001.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全215字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （24kb） |
| 雑誌掲載位置 | 31ページ目 |
メモリーフラッシュ・メモリー積層 パッケージ 韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．が１ＧビットＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーの製品化を発表した。設計ルール０．１２μｍを使った１Ｇビット・チップ単体と，１Ｇビット・チップを２個積層してパッケージングした２Ｇビット品の電気特性評価用サンプルを出荷した。ＮＡＮＤ型最大手の東芝は９月末に１Ｇビット・チップを製品化する予定で，製品発…
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