技術レター［ＬＳＩ製造］〜超微量元素の検出技術や　ＧａＮ系の希薄磁性半導体が　登場した「応用物理学会」
日経マイクロデバイス　第196号　2001.10.1

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掲載誌	日経マイクロデバイス　第196号（2001.10.1）
ページ数	1ページ　（全618字）
形式	PDFファイル形式　（24kb）
雑誌掲載位置	31ページ目

検査・分析薄膜学会　ウエーハ上の超微量元素の検出技術やＧａＮ系の希薄磁性半導体など，半導体に革新をもたらす可能性を持った要素技術が，９月１１日〜１４日に開かれた「２００１年秋季第６２回応用物理学会学術講演会」に登場した。微量元素の検出技術は，富士通研究所，東芝，松下電器産業，住友金属工業が共同開発した。微量元素検出はＬＳＩの微細化に伴って感度の向上が必要で，ゲート長５０ｎｍでは１０μｍ角で１００個…