特集 Ｐａｒｔ２〜微細化追求で ２０ｎｍを７年前倒し
日経マイクロデバイス 第194号 2001.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第194号（2001.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全6201字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （181kb） |
| 雑誌掲載位置 | 100〜105ページ目 |
トランジスタ ＭＯＳ ＦＥＴ ＬＳＩ製造微細化の追求によるトランジスタ性能の向上を，米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．が加速させている。２０００年末にゲート長３０ｎｍのトランジスタを２００５年に量産すると発表して競合他社を驚かせたが，半年後の６月に２０ｎｍのトランジスタを発表した。４５ｎｍプロセスとして２００７年に量産化する。開発促進に向けて，社内外の研究機関と連携する「バーチャル・ラボ」の体制を構築した。…
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