特集 Ｐａｒｔ１〜他を圧倒する高性能目指し 技術開発を加速
日経マイクロデバイス 第194号 2001.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第194号（2001.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全3611字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （92kb） |
| 雑誌掲載位置 | 96〜99ページ目 |
トランジスタ ＭＯＳ ＦＥＴ ロジックＬＳＩ最先端のトランジスタ開発競争は，二つの技術が一騎打ちになる構図が鮮明になってきた。微細化を徹底追求する技術と，微細化を前提に他の工夫を組み合わせる技術である。前者を推進する代表的なＬＳＩメーカーが米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．であり，後者の代表が米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．である。両社はそれぞれの技術開発を加速し，他の追随を許さないトランジスタ性能の実現に向けて動き始…
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特別企画 後半〜特別企画 ＩＤＭ解体が始まった
特集 とびら〜Ｉｎｔｅｌ系とＩＢＭ系の技術一騎討ち
特集 Ｐａｒｔ１〜将来への問題点を抱える 米Ｉｎｔｅｌと米ＩＢＭ
特集 Ｐａｒｔ２〜微細化追求で ２０ｎｍを７年前倒し
特集 Ｐａｒｔ３〜微細化だけに依存せず 新技術を先駆けて導入
