特集 Ｐａｒｔ３〜微細化だけに依存せず 新技術を先駆けて導入
日経マイクロデバイス 第194号 2001.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第194号（2001.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 5ページ （全5544字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （125kb） |
| 雑誌掲載位置 | 106〜110ページ目 |
トランジスタ ＭＯＳ ＦＥＴ ＬＳＩ製造ひずみＳｉ技術を競合他社より１〜２年早い２００３年に実用化する方針を米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．が明らかにした。同社は，微細化だけに頼らずに他の技術と組み合わせる手法を積極的に推進している。これまでにＣｕ配線，ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ），低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）の層間絶縁膜，ＳｉＧｅ技術を他社に先駆けて実用化してきた。これらに続く，第５の技術と…
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特集 Ｐａｒｔ１〜将来への問題点を抱える 米Ｉｎｔｅｌと米ＩＢＭ
特集 Ｐａｒｔ２〜微細化追求で ２０ｎｍを７年前倒し
論文［ＬＳＩ設計］〜見えてきた次世代ケータイのＲＦ集積化 現状５チップを２００３年に２チップへ
論文［ＬＳＩ設計］〜斜め配線を活用した設計技術で 配線長を２０％以上短縮
解説［ＬＳＩ製造］〜ＬＳＩ製造拠点作りを本格化 ２０１０年までに上海・浦東で３０ライン
