特集　Ｐａｒｔ１〜急進する新材料メモリー　開発・量産競争が本格化
日経マイクロデバイス　第190号　2001.4.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第190号（2001.4.1）
ページ数	10ページ　（全8145字）
形式	PDFファイル形式　（180kb）
雑誌掲載位置	62〜71ページ目

メモリー　部品・材料　ＬＳＩプロセス新材料技術の開発と量産体制の確立。これが，２１世紀のメモリーＬＳＩの勝負どころになる。強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）とＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｉｃ　ＲＡＭ）で新材料が重要であることは当然だが，ＤＲＡＭでもキャパシタに高誘電率膜の採用が必須になり，さらにフラッシュ・メモリーでも新材料の導入が求められるようになった。どのような品種のメモリーＬＳＩが今後の市場で主役の座…