特集 とびら〜ＤＲＡＭ フラッシュ ＦｅＲＡＭ ＭＲＡＭ メモリーＬＳＩは材料で勝負
日経マイクロデバイス 第190号 2001.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第190号（2001.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全606字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （144kb） |
| 雑誌掲載位置 | 61ページ目 |
本格的な量産が始まる強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）。量産スケジュールを明らかにするところが出てきたＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｉｃ ＲＡＭ）。スケーリングの壁に直面するＤＲＡＭやフラッシュ・メモリー。これらのメモリーは一見，別モノに見えるが，死命を制するのはいずれも材料技術になる。ＦｅＲＡＭやＭＲＡＭは，微細化・高集積化に対するスケーラビリティが現段階では見えていない。材料技術を駆使し，この問題を解決す…
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