特集 Ｐａｒｔ２〜各材料に共通な理論で 開発効率を一気に向上
日経マイクロデバイス 第190号 2001.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第190号（2001.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全6902字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （136kb） |
| 雑誌掲載位置 | 72〜79ページ目 |
ＬＳＩプロセス 部品・材料 成膜技術今後のＤＲＡＭ，強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ），ＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｉｃ ＲＡＭ）では，新材料の導入に伴うセラミックスとメタルの界面がカギを握る。次世代メモリーＬＳＩの性能を決める「誘電特性」，「強誘電体特性」，「電流特性」，「電荷保持特性」などは，すべてこの界面が決定因子になるからである。これは接着強度などが中心だった従来の界面とは重要性が全く異なる。この界…
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