特集１　Ｐａｒｔ２〜技術の本命争い激化　０．０５μｍ以降３候補
日経マイクロデバイス　第188号　2001.2.1

トランジスタ　高速化　低消費電力化ゲート長０．０５μｍ以降のトランジスタ技術の本命争いが激化してきた。有力な技術候補は，開発方針によって三つに分類できる。（１）従来技術の改良，（２）新構造・材料の導入，（３）ナノテクノロジの導入である。（１）は，現在最も実用に近い。代表例は米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．が試作したゲート長０．０３μｍのトランジスタである。２００５年に量産するという具体的な計画を宣言してい…