特集１　とびら〜ＬＳＩ製造技術で出し抜く「テクノロジ・パラノイア」
日経マイクロデバイス　第188号　2001.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第188号（2001.2.1）
ページ数	1ページ　（全665字）
形式	PDFファイル形式　（210kb）
雑誌掲載位置	45ページ目

次世代半導体のデバイス・プロセス技術で競合他社の出し抜き合戦が始まった。担うのは，特定分野で世界最強を競う「テクノロジ・パラノイア」だ。開発する技術分野を絞り込み，国際競争力で先行する。その先行技術を世界中に流通させることによって，圧勝の構図を作り出す。設計資産がＩＰ（ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｙ）の形で流通し始めたように，製造技術の資産である「プロセスＩＰ」が流通する時代が来ること…