技術レター［ＬＳＩ設計］〜Ｃｈａｒｔｅｒｅｄ，ＲＦ ＣＭＯＳ ロードマップを明らかに， ２００１年には０．１３μｍへ
日経マイクロデバイス 第186号 2000.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第186号（2000.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全346字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （26kb） |
| 雑誌掲載位置 | 137ページ目 |
高周波工場微細化 シンガポールＣｈａｒｔｅｒｅｄ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｌｔｄ．は，０．３５〜０．１３μｍのＲＦ ＣＭＯＳプロセスの方向を示した。０．３５μｍは試作を終えて量産に入る。０．２５μｍはデザイン・キットを発売，２００１年初めに試作が完了する。０．１８μｍは２０００年１２月にデザイン・キットが完成する。０．１３μｍは２００１年初めにデザイン・キット作成に…
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