μレポート［ＬＳＩ製造］〜「ゲームキューブ」向け　ＤＲＡＭ混載プロセスは　トランジスタを徹底重視
日経マイクロデバイス　第185号　2000.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第185号（2000.11.1）
ページ数	2ページ　（全2091字）
形式	PDFファイル形式　（51kb）
雑誌掲載位置	74〜75ページ目

ＤＲＡＭ混載ＬＳＩプロセスゲーム機ＮＥＣが開発した０．１８μｍのＤＲＡＭ混載プロセスは他社に比べて徹底的にトランジスタ性能を重視した内容になった。０．３５μｍの開発当初から貫いてきた思想をそのまま受け継いだといえる（本誌１９９６年１０月号，ｐｐ．１３５−１３６を参照）。この技術を使い，任天堂の次期ゲーム機「ゲームキューブ」向けグラフィックスＬＳＩを製造する。　「ロジックＬＳＩと同等のトランジスタ性…