μレポート［ＬＳＩ製造］〜０．１３μｍ，３００ｍｍ時代 Ｃｕ配線形成の障壁を 打破する含浸メッキ
日経マイクロデバイス 第185号 2000.11.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第185号（2000.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2416字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （49kb） |
| 雑誌掲載位置 | 78〜79ページ目 |
ＬＳＩ製造Ｃｕメッキ低コスト化０．１３μｍルール，３００ｍｍウエーハ時代に向け，Ｃｕ配線形成の突破口となる新技術が登場した。この時代になると従来のＣｕメッキ技術では，膜厚バラつきが許容できなくなる。荏原製作所と東芝は共同でＬＳＩに含浸メッキ技術を適用し，Ｃｕの膜厚バラつきを抑えた。メッキ液を循環させずに成膜できるので，「ミニ・ファブ」に対応する。荏原は装置を２００１年４月に製品化する。 微細化が０…
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