μレポート［ＬＳＩ製造］　寄稿〜次世代ｌｏｗ−ｋ材料の　開発スピードを速める　測定技術が登場
日経マイクロデバイス　第185号　2000.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第185号（2000.11.1）
ページ数	2ページ　（全1906字）
形式	PDFファイル形式　（52kb）
雑誌掲載位置	76〜77ページ目

低誘電率膜技術開発測定技術物質内部の微小な空孔を容易に測定できる技術が登場した。この技術は次世代の低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）材料の開発スピードを大幅に速める。従来は空孔の寸法や形状といった微細構造を正確に測定できなかったことが理由で，材料の特性を合わせるためにＬＳＩ製造プロセスを使った実験を繰り返すしかなかった。今回の測定技術を使えば，こうした実験を繰り返さずに済む。（木村　雅秀＝本誌）　次世代の低誘…