技術レター［ＬＳＩ製造］〜多孔質ｌｏｗ−ｋ膜の 空孔分布やＣｕ残留量の 評価技術が登場
日経マイクロデバイス 第184号 2000.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第184号（2000.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全677字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （25kb） |
| 雑誌掲載位置 | 64ページ目 |
低誘電率膜Ｃｕ配線学会 低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）膜における空孔分布やＣｕ残留量を評価する技術が，９月に北海道で開かれた「２０００年（平成１２年）秋季 第６１回応用物理学会学術講演会」に相次いで登場した。比誘電率が２以下と低い材料の開発にはこうした評価技術が必須になるが，これまでは技術が準備できていなかった。東京エレクトロンと理学電機などは共同で空孔分布の評価技術を開発した。空孔内部にガスを導入して評…
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