技術レター［ＬＳＩ製造］〜０．１μｍ以降の トランジスタ技術が 相次いだ「ＳＳＤＭ２０００」
日経マイクロデバイス 第184号 2000.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第184号（2000.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全603字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （25kb） |
| 雑誌掲載位置 | 64ページ目 |
微細化トランジスタ学会 ０．１μｍ以降のトランジスタ技術が，この８月に仙台で開かれた「２０００ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（ＳＳＤＭ２０００）」に相次いだ。チャネル不純物の分布を理想に近い形に制御できる技術を三菱電機が開発した。短チャネル効果を抑制するためにチャネルに不純物を導入すると，接合容量や接合リ…
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