技術レター［ＬＳＩ設計］〜ＩＥＤＭ●ＬＳＩ編 高誘電率ゲート絶縁膜に 「驚くべきデータ」が登場
日経マイクロデバイス 第184号 2000.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第184号（2000.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全645字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （25kb） |
| 雑誌掲載位置 | 63ページ目 |
トランジスタ微細化学会 リーク電流を大幅に減らした高誘電率ゲート絶縁膜。これが１２月１１日〜１３日に米国サンフランシスコで開かれる「２０００ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ ２０００）」の目玉になる。Ｐｒ２Ｏ３という比誘電率３１の新しい高誘電率ゲート絶縁膜を使って，これまでの最大の課題だったリーク電流を大幅に減らせることを独Ｉｎｎｏ…
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