技術レター［ＬＳＩ設計］〜ＦＣＲＡＭ対抗へ，ＮＥＣが 低電力メモリー技術を開発 １６Ｍビット品から製品化
日経マイクロデバイス 第184号 2000.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第184号（2000.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全508字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （25kb） |
| 雑誌掲載位置 | 63ページ目 |
メモリーＤＲＡＭ低電力 モバイル機器向けに低消費電力メモリー技術をＮＥＣエレクトロンデバイスが開発，同社はこの技術を使った０．２２μｍルールの１６Ｍビット・メモリーを２０００年１０月からサンプル出荷する。富士通などがすでに製品化している「ＦＣＲＡＭ（Ｆａｓｔ Ｃｙｃｌｅ ＲＡＭ）」と競合することになる。今回の特徴は三つある。第１に，ＤＲＡＭセルを使うことで２１．８ｍｍ２と小さなチップ面積を実現した…
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