技術レター［ＬＳＩ製造］〜１Ｇ ＤＲＡＭや１Ｖ動作の ロジック技術が登場した 「ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」
日経マイクロデバイス 第181号 2000.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第181号（2000.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全645字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （25kb） |
| 雑誌掲載位置 | 62ページ目 |
ＤＲＡＭシステムＬＳＩ低電圧化 １ＧビットＤＲＡＭや１Ｖ動作のロジックＬＳＩ技術など，メモリーやシステムＬＳＩに関する発表が米国ホノルルで開催された「２０００ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」で注目を集めた。０．１３μｍルールの１Ｇ ＤＲＡＭ技術は，韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．が発表した。自己整合コンタクト（ＳＡＣ）技術の工夫やＡｌ２Ｏ３…
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