技術レター［ＬＳＩ製造］〜低誘電率膜の開発 日米で得意分野が 分かれた「２０００ ＩＩＴＣ」
日経マイクロデバイス 第181号 2000.7.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第181号（2000.7.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全470字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （25kb） |
| 雑誌掲載位置 | 62ページ目 |
配線技術低誘電率膜層間絶縁膜 低誘電率の層間絶縁膜の開発に関して日米で得意分野が分かれている姿が，６月５日〜７日に米国サンフランシスコで開かれたＬＳＩ配線技術の国際会議「２０００ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（２０００ ＩＩＴＣ）」で見えた。日本勢がＳｉＯ２系多孔質膜のプロセス開発で躍進する一方，米国勢が評価技術で圧倒的な強さを見…
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